Nait XS3

Notre équipe de R&D a apporté des améliorations significatives aux performances du NAIT XS 3. Nous avons doublé la vitesse de l'étage de gain en tension, ce qui double la vitesse à laquelle l'étage de sortie du haut-parleur peut réagir. Les transistors du deuxième étage de gain ont été optimisés, éliminant le besoin d'un transistor d'étage cascode, ce qui signifie que moins de stabilisation de l'amplificateur est nécessaire, doublant la vitesse de balayage et améliorant la qualité du son.

La topologie de notre circuit phono consiste en trois étages, ce qui permet d'obtenir des performances exceptionnelles en matière de bruit, une égalisation RIAA étendue au-delà du groupe de musique et une grande marge de surcharge. Tous les condensateurs d'égalisation RIAA sont des condensateurs à film montés dans des trous traversants afin d'assurer une faible captation microphonique et d'excellentes performances transitoires. Notre impédance d'entrée est de 47kΩ en parallèle avec une charge capacitive de 470F, et notre gain est parfait pour les cartouches à aimant mobile de 5mV.